TechStandard

Усилитель - корректор

, (7.2)

где крутизна транзистора, сопротивление термостабилизации.

,

где

;

мА/в;

мА/в;

мА/в;

мА/в;

нФ;

нФ;

нФ.

Для уменьшения искажений последовательно с разделительной емкостью включим дополнительное сопротивление параллельно емкости корректирующей цепи каскада. Дополнительное сопротивление высчитывается по формуле:

, (7.3)

где сопротивление нагрузки для оконечного каскада и сопротивлениедля остальных каскадов.

Ом;

Ом;

Ом.

Так же включим последовательно с сопротивлением цепи коррекции со стороны земли. Дополнительную емкость включим только к оконечному и предоконечному каскаду:

; (7.4)

пФ.

нФ;

 

  
             
         

РТФ КП 468730.001.ПЗ

 
             
           

Лит

Масса

Масштаб

 

Изм

Лист

Nдокум.

Подп.

Дата

             

Выполнил

Кузнецов

   

УCИЛИТЕЛЬ-КОРРЕКТОР

           

Проверил

Титов

                 
         

Лист

Листов

 
         

ТУСУР РТФ

 
       

Принципиальная

Кафедра РЗИ

 
       

Схема

гр. 148-3

 
 

Позиционные

Обозначения

Наименование

Кол

Примечание

 
   

Конденсаторы

ОЖ0.460.203 ТУ

     
 

С1

КД-2-750пФ±5%

1

   
 

С2

КД-2-39пФ±5%

1

   
 

С3

КД-2-30пФ±5

1

   
 

С4

КД-2-2нФ±5%

1

   
 

C5,С13,С16

КД-2-8,2пФ±5%

3

   
 

С6,С11

КД-2-470пФ±5%

2

   
 

С7,с12

КД-2-18пФ±5%

2

   
 

С8

КД-2-6,2пФ±5%

1

   
 

С9

КД-2-15нФ±5%

1

   
 

С10

КД-2-1,1нФ±5%

1

   
 

С14

КД-2-30нФ±5%

1

   
 

С15

КД-2-290пФ±5%

1

   
   

Индуктивности

     
 

L1

Индуктивность 44нГн±10%

1

   
 

L2

Индуктивность 5,8нГн±10%

1

   
 

L3

Индуктивность 2,21мкГн±10%

1

   
 

L4

Индуктивность 75нГн±10%

1

   
 

L5

Индуктивность 16нГн±10%

1

   
 

L6

Индуктивность 3,75мкГн±10% ±10±10%

1

   
 

L7

Индуктивность 57нГн±10%

     
 

L8

Индуктивность 13нГн±10%

     
 

L9

Индуктивность 2мкГн±10%

     
 

L10

Индуктивность 19нГн±10%

     
   

Резисторы

ГОСТ 7113-77

     
 

R1

МЛТ–0,125-56Ом±10%

1

   
 

R2,R8

МЛТ–0,125-2,4кОм±10%

2

   
 

R3

МЛТ–0,125-7,5кОм±10%

1

   
 

R4

МЛТ–0,125-6,2кОм±10%

1

   
 

R5

МЛТ–0,125-470Ом±10%

1

   
 

R6

МЛТ–0,125-91Ом±10%

1

   
 

R7

МЛТ–0,125-6,8кОм±10%

1

   
 

R9

МЛТ–0,125-2кОм±10%

1

   
 

R10

МЛТ–0,125-150Ом±10%

1

   
 

R11

МЛТ–0,125-68Ом±10%

1

   
 

R12

МЛТ–0,125-430Ом±10%

1

   
 

R13

МЛТ–0,125-1кОм±10%

1

   
 

R14

МЛТ–0,125-820Ом±10%

1

   
 

R15

МЛТ–0,125-60Ом±10%

1

   
   

Транзисторы

     
 

V1,V2,V3

КТ939А

3

   
                       
           

РТФ КП 468730.001 ПЗ

         
                       
             

Лит

Масса

Масштаб

     
 

Изм

Лист

Nдокум.

Подп.

Дата

             
 

Выполнил

Кузнецов

   

УСИЛИТЕЛЬ-корректор

 

У

         
 

Провер.

Титов

                   
           

Лист

Листов

         
           

ТУСУР РТФ

           
         

Перечень элементов

Кафедра РЗИ

           
           

гр. 148-3

           
Перейти на страницу: 4 5 6 7 8 9 10

Дополнительно

Нейросетевые методы распознавания изображений
Выполнен обзор нейросетевых методов, используемых при распознавании изображений. Нейросетевые методы - это методы, базирующиеся на применении различных типов нейронных сетей (НС). Основные направления применения различных НС для распознавания образов и изображений: применение для извлечение ...

Конструкции и технология изготовления электротехнических изделий
Настоящее методическое пособие предназначено для студентов Института Электротехники, выполняющих курсовые и дипломный проекты (КП и ДП), и призвано оказать им помощь по выполнению конструкторско-технологической части проектов. В связи с введением Единой системы конструкторской документации (ЕСК ...

Меню сайта