Истоки современной микроэлектронной технологии.
К 1955 году была налажена технология изготовления транзисторов со сплавными и р-п-переходами. Потом появились разновидности сплавных транзисторов: дрейфовые и сплавные с диффузией.
В конце 50-х годов была разработана технология создания планарных транзисторов, конструкция которых имеет плоскую структуру. Особенность этой технологии - возможность создания множества приборов на одной подложке. Такая технология открыла путь к групповой технологии производства транзисторов и его автоматизации.
Развитие дискретной полупроводниковой техники, возможность автоматизации производства привели к интеграции. В 1960 году был предложен метод изготовления транзисторов в тонком эпитаксиальном слое, выращенном на монокристаллической подложке. Таким способом удавалось на прочной толстой подложке создать транзисторы с тонкой базой. Было предложено использовать транзисторы с тонкопленочными проводниками в пределах одной пластины. Такие транзисторы получили название интегральных, а кристаллы стали называть интегральными схемами.
Таким образом, наряду с дискретной твердотельной электроникой появилась интегральная электроника основанная на тонкопленочной групповой технологии.
Дополнительно
Галактика как уровень мегамира
Актуальность,
цели и задачи ответа по настоящей контрольной работе будут обусловлены
следующими положениями. Нас интересует не только звездное население того дома,
в котором мы живем. Нас интересует и архитектура этого дома и его размеры;
интересует, как его обитатели расселены, где жилищная тесно ...
Исследование способов повышения эффективности работы гусеничного движителя
Магистерская диссертация выполнена на 78
страницах машинописного текста и включает 12 рисунков, 2 таблицы и список
литературы из 27 наименований.
Ключевые слова: эффективность, принцип
работы, гусеничный движитель, ведущая звездочка, навесоспособность, плавность
хода, почвосбережение, внутренне ...