Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника
[1], с. 42-55;
Материал этого пункта надо тщательно изучить, так как он является чрезвычайно важным для понимания работы всех полупроводниковых приборов. Необходимо изучить свойства p-n переходов, их энергетические и потенциальные диаграммы.
Надо знать уравнение вольтамперной характеристики, отличие теоретической характеристики от реальной, виды пробоев p-n перехода. Изобразить эквивалентную схему p-n перехода и дать физическое объяснение наличия барьерной и диффузионной емкостей перехода.
Необходимо знать принцип действия контакта металл-полупроводник (барьер Шотки).
3 Полупроводниковые диоды
[1], c. 56-92;
4 Биполярные транзисторы
[1], c. 93-175;
5 Полевые транзисторы
[1], с. 183-211.
Надо усвоить устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляемым p-n переходом, знать их статическое характеристики и дифференциальные параметры.
Следует разобраться с принципом действия, структурой и особенностями полевых транзисторов с изолированными затворами (МДП-транзисторы), их разновидностями; МДП с индуцированным и встроенным каналами. Необходимо знать режимы обеднения и обогащения этих транзисторов и какие из них могут работать в том или ином режиме. Все это необходимо проиллюстрировать на физике процессов, а также с помощью статических характеристик транзисторов.
Следует знать схемы включения, дифференциальные малосигнальные параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов.
Необходимо иметь представление о приборах с зарядовой связью.
Этот материал можно найти в [4].
6 Различные полупроводниковые приборы
[1], c.175-182;
В этом пункте основное внимание уделяется устройству тиристоров. Нужно знать устройство и принцип действия диодного и триодного тиристора. Нужно также уяснить работу теплоэлектрических приборов, полупроводниковых резисторов и варисторов.
Шумы и надежность электронных приборов [1], с. 158-165, 19-22;
Контрольные вопросы к I-разделу
Укажите роль электронных приборов и изделий микроэлектроники в подготовке специалистов Вашего профиля.
Начертите диаграммы энергетических зон собственного и примесного полупроводников и объясните характер электропроводности в полупроводниках.
Что такое диффузионный и дрейфовый токи?
Почему резко снижается концентрация подвижных носителей заряда в приконтактной области двух полупроводников с разными типом проводимости?
Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода в равновесном состоянии.
Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при прямом включении.
Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при обратном включении.
Чем отличается реальная вольтамперная характеристика p-n перехода от теоретической?
Какие виды пробоя p-n перехода вы знаете?
Что такое зарядная емкость p-n перехода?
Что такое диффузионная емкость p-n перехода?
Дайте классификацию полупроводниковых приборов по технологии изготовления и по типу структуры.
Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник?
Дайте классификацию диодов по конструктивным особенностям и применению.
Каково устройство и принцип действия полупроводникового диода?
Объясните устройство стабилитрона и его включение в схему.
Каковы особенности работы диодов в импульсном режиме?
Дайте классификацию транзисторов по конструкции и их применению.
Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором?
В чём заключается особенности режимов: активного, отсечки и насыщения?
Расскажите принцип действия биполярного транзистора.
Дайте сравнение усилительных свойств транзисторов в разных схемах включений.
Изобразите статистические характеристики транзисторов и объясните ход их изменения.
Какие системы параметров транзисторов Вам известны и какая связь между ними?
Изобразите эквивалентные низкочастотные Т-образные схемы транзистора.
Что такое предельная частота, граничная частота усиления тока базы?
Нарисуйте диаграмму коллекторного тока при импульсном режиме работы.
Каков принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом?
Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
Изобразите три схемы включения полевого транзистора. Нарисуйте семейство статических (выходных и передаточных) характеристик.
Что такое прибор с зарядовой связью?
Объясните принцип действия динистора.
Дополнительно
Численная модель эволюции плавающих на сферической мантии и взаимодействующих континентов
С развитием методов
численного моделирования глобальных геодинамических процессов появилась
возможность исследовать механизм дрейфа континентов с периодическим
объединением их в суперконтиненты типа Пангеи. В предыдущих работах авторов
разработан метод численного решения системы уравнений переноса ...
Ремонт колесных пар
Из-за больших
статических и динамических нагрузок, которые возникают в условиях эксплуатации
колёсной пары, возникают различные дефекты.
Для обеспечения
надёжной работы на железной дороге создана система выявления дефектов колёсных
пар. Основой такой системы является выявление дефек ...