Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

[1], с. 42-55;

Материал этого пункта надо тщательно изучить, так как он является чрезвычайно важным для понимания работы всех полупроводниковых приборов. Необходимо изучить свойства p-n переходов, их энергетические и потенциальные диаграммы.

Надо знать уравнение вольтамперной характеристики, отличие теоретической характеристики от реальной, виды пробоев p-n перехода. Изобразить эквивалентную схему p-n перехода и дать физическое объяснение наличия барьерной и диффузионной емкостей перехода.

Необходимо знать принцип действия контакта металл-полупроводник (барьер Шотки).

3 Полупроводниковые диоды

[1], c. 56-92;

4 Биполярные транзисторы

[1], c. 93-175;

5 Полевые транзисторы

[1], с. 183-211.

Надо усвоить устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляемым p-n переходом, знать их статическое характеристики и дифференциальные параметры.

Следует разобраться с принципом действия, структурой и особенностями полевых транзисторов с изолированными затворами (МДП-транзисторы), их разновидностями; МДП с индуцированным и встроенным каналами. Необходимо знать режимы обеднения и обогащения этих транзисторов и какие из них могут работать в том или ином режиме. Все это необходимо проиллюстрировать на физике процессов, а также с помощью статических характеристик транзисторов.

Следует знать схемы включения, дифференциальные малосигнальные параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов.

Необходимо иметь представление о приборах с зарядовой связью.

Этот материал можно найти в [4].

6 Различные полупроводниковые приборы

[1], c.175-182;

В этом пункте основное внимание уделяется устройству тиристоров. Нужно знать устройство и принцип действия диодного и триодного тиристора. Нужно также уяснить работу теплоэлектрических приборов, полупроводниковых резисторов и варисторов.

Шумы и надежность электронных приборов [1], с. 158-165, 19-22;

Контрольные вопросы к I-разделу

Укажите роль электронных приборов и изделий микроэлектроники в подготовке специалистов Вашего профиля.

Начертите диаграммы энергетических зон собственного и примесного полупроводников и объясните характер электропроводности в полупроводниках.

Что такое диффузионный и дрейфовый токи?

Почему резко снижается концентрация подвижных носителей заряда в приконтактной области двух полупроводников с разными типом проводимости?

Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода в равновесном состоянии.

Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при прямом включении.

Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при обратном включении.

Чем отличается реальная вольтамперная характеристика p-n перехода от теоретической?

Какие виды пробоя p-n перехода вы знаете?

Что такое зарядная емкость p-n перехода?

Что такое диффузионная емкость p-n перехода?

Дайте классификацию полупроводниковых приборов по технологии изготовления и по типу структуры.

Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник?

Дайте классификацию диодов по конструктивным особенностям и применению.

Каково устройство и принцип действия полупроводникового диода?

Объясните устройство стабилитрона и его включение в схему.

Каковы особенности работы диодов в импульсном режиме?

Дайте классификацию транзисторов по конструкции и их применению.

Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором?

В чём заключается особенности режимов: активного, отсечки и насыщения?

Расскажите принцип действия биполярного транзистора.

Дайте сравнение усилительных свойств транзисторов в разных схемах включений.

Изобразите статистические характеристики транзисторов и объясните ход их изменения.

Какие системы параметров транзисторов Вам известны и какая связь между ними?

Изобразите эквивалентные низкочастотные Т-образные схемы транзистора.

Что такое предельная частота, граничная частота усиления тока базы?

Нарисуйте диаграмму коллекторного тока при импульсном режиме работы.

Каков принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом?

Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.

Изобразите три схемы включения полевого транзистора. Нарисуйте семейство статических (выходных и передаточных) характеристик.

Что такое прибор с зарядовой связью?

Объясните принцип действия динистора.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Дополнительно

Методы оценки близости допредельных и предельных распределений статистик
Рассматривается проблема оценки близости предельных распределений статистик и распределений, соответствующих конечным объемам выборок. При каких объемах выборок уже можно пользоваться предельными распределениями? Каков точный смысл термина "можно" в предыдущей фразе? Основное внимание уд ...

Эвристика и ее применение
В своей повседневной жизни человек все время сталкивается с задачами легкими для него, но с трудом решаемыми машинами. Тяжело создать программу, которая предусматривала бы все. Поэтому в условиях недостаточности или сложности информации человек практически незаменим. Преодолеть же пропасть между м ...

Меню сайта