Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Объясните вольтамперную характеристику динистора.

Назовите параметры тиристоров.

Объясните принцип действия полупроводниковых резисторов, варисторов.

Объясните принцип действия датчика Холла.

Назовите виды шумов в транзисторе.

Как определяется долговечность прибора?

Что такое интенсивность отказов?

Как влияет режим на надежность полупроводниковых приборов?

Раздел II. Оптоэлектронные и квантовые приборы

[1], с, 313-327, 356-371;

Данная тема является одним из перспективных направлений развития электроники. Поэтому необходимо уяснить достоинства оптоэлектронных приборов вообще, и оптронов в частности. Краткие сведения по оптронам можно найти в [1] и [4], по индикаторам в [1]. Более полные сведения по ним можно найти в дополнительной литературе [9].

Контрольные вопросы по разделу II

Основные достоинства оптоэлектронных приборов.

Устройство оптрона и основные его узлы.

Светоизлучатели. Основные требования к ним.

Светодиоды. !принцип цействия, характеристики, параметры.

Оптическая среда. назначение, требования к ней.

Фотоприемники. Характеристики и параметры.

Принцип действия фоторезистора, Характеристики и параметры.

Принцип действия и устройство Фотодиода. Фотогенераторный

режим.

Фотопреобразовательный режим фотодиода.

Способы повышения коэффициента передачи тока оптронов.

Фототранзисторы и фототиристоры. Принцип работы и выходные характеристики,

Классификация оптронов. Условные обозначения.

Сравнительная характеристика.

Характеристики оптронов.

Параметры оптронов.

Применение оптронов.

Принцип действия полупроводниковых индикаторов

Жидкокристалические индикаторы. Принцип действия и разновидности.

Газоразрядные индикаторы и плазменные панели.

Применение индикаторов.

Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, характеристики и особенности.

Раздел III. Микроэлектроника

1 Технологические основы микроэлектроники

Средством решения проблемы увеличения надежности, снижения стоимости, массогабаритных показателей и энергопотребления РЭА является комплексная миниатюризация, в широком смысле означающая системный подход к применению в аппаратуре средств микроэлектроники, а в прикладном смысле – метод создания аппаратуры, при котором все ее узлы, блоки и устройства выполнены на базе изделий микроэлектроники. Следует уяснить, что основная задача микроэлектроники – решение вопросов надежности микроэлектронных устройств, состоящих из большого количества элементов. Это и есть – «Тирания большого количества».

Классификация изделий микроэлектроники приведена в [2, с.27-32].

Основным видом изделий микроэлектроники являются ИМС, которые могут быть квалифицированы по технологии изготовления, степени интеграции, функциональному назначению и по применяемости в аппаратуре. Подробно см. [2, с. 23-38].

Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых ИМС (эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография, металлизация) достаточно полно и компактно описаны в [2, с. 55-78]. Усвойте назначение каждого из базовых процессов, а также умейте без излишней детализации объяснить их сущность.

Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы. Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки. Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.

Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.

Весьма важно для понимания принципов построения современных полупроводниковых цифровых ИМС разобраться с устройством и особенностями активных структур, не имеющих дискретных аналогов: многоэмиттерных и многоколлекторных транзисторов, транзисторов с барьером Шотки.

Обратите внимание на проблему реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов. Такие элементы наряду с супербета-транзисторами широко используются в полупроводниковых ИМС. Все перечисленные элементы ИМС подробно описаны в [2, с. 89-103].

В МДП ИМС используются структуры с одним типом кандалов (n-МДП, p-МДП) или двумя типами каналов (комплементарные, КМДП). Необходимо ясно понимать, что важным преимуществом МДП ИМС по сравнению с биполярными ИМС является упрощение технологии изготовления и соответственно больший процент выхода годных изделий и меньшая стоимость. МДП активные элементы занимают значительно меньшую площадь на подложке и позволяют реализовать ИМС с очень высокой степенью интеграции при малой потребляемой мощности. Обратите внимание на устройство и особенности КМДП ИМС, являющихся в настоящее время одним из наиболее перспективных типов ИМС. Данные вопросы достаточно кратко и понятно рассмотрены в [2, с. 103-112, 138-145].

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Дополнительно

Эволюция и самоорганизация химических систем. Макромолекулы и зарождение органической жизни
Понятие самоорганизация означает упорядоченность существования материальных динамических, то есть качественно изменяющихся систем. Оно отражает особенности существования таких систем, которые сопровождаются их восхождением на все более высокие уровни сложности и системной упорядоченности или матер ...

Разработка сенсора на поверхностно-акустических волнах
В условиях современности проблема контроля за состоянием окружающей среды выходит на все более ведущее место. Контроль этот осуществляется как стационарными приборами, так и портативными. К стационарным приборам можно отнести инфракрасные спектрометры, газовые хроматографы, массовые спектрометры и ...

Меню сайта