Усилитель - корректор
Рисунок 4.1.2
Здесь 
сопротивление нагрузки, 
разделительная емкость.
Результаты вычислений:
|
|
,В |
,мВт |
,мВт |
| |
|
с |
11,6 |
5 |
660 |
1531 |
132 |
|
с |
5 |
5 |
330 |
330 |
66 |
,В 
,мА 
4.2 Выбор транзистора. Нагрузочные прямые
При выборе транзистора нужно учесть предельные значения транзистора 
, 
,
,
.
В;
А для резистивного каскада;
А для дроссельного каскада;
Вт для резистивного каскада;
Вт для дроссельного каскада;
Ггц.
|
,В |
,мВт |
,ГГц |
| |
|
с |
6 |
660 |
1,7-4 |
158 |
|
с |
6 |
330 |
1,7-4 |
79 |
Свой выбор остановим на транзисторе КТ939А предельные допустимые значения которого полностью отвечают вышеуказанным требованиям.
Необходимые справочные данные транзистора КТ939А [2].
=
18 В ,
=0,4 А ,
=4 Вт ,
=3060 МГц, 
=4,6 пс , 
=6,04 пФ при 
=
Дополнительно
Структурная и молекулярная организация генного вещества
Почти полвека тому назад, в 1953 г., Д. Уотсон и Ф. Крик открыли принцип
структурной (молекулярной) организации генного вещества -
дезоксирибонуклеиновой кислоты (ДНК) [1]. Структура
ДНК дала ключ к механизму точного воспроизведения - редупликации - генного
вещества [2]. Так
возникла новая наука ...
Шероховатость поверхности и её изображение на чертежах
КОНСТРУКЦИЯ
(объект производства)
ТЕХНОЛОГИЯ
(производственные
процессы)
↔
↔
↔
↑ ↑ ↑ ↑
↑ ↑ ↑
...