Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

2) напряжение коллекторного питания – ЕК,

3) сопротивление коллекторной нагрузки – RK,

4) амплитуда переменной составляющей базового тока – IБМ. .

Значения ЕК, RK, IБМ­ – выбираются согласно шифра студента по таблицам 3, 4.

Требуется:

1. Перерисовать статические характеристики транзистора и построить на них динамические (нагрузочные) характеристики.

Таблица 3

Параметр

Последняя цифра номера зачетной книжки

 

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

ЕК, В

RK, кОм

10

0,5

12

0,6

15

0,75

18

1,0

20

1,0

10

1,0

12

1,2

15

1,5

18

1,8

20

2,0

Таблица 4

Параметр

Предпоследняя цифра номера зачетной книжки

 

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IБМ, мкА

50

75

100

50

75

100

50

75

100

150

2. Исходя из условия оптимального (неискаженного) усиления выбрать рабочую точку на входной и выходной характеристиках.

3. Указать пределы изменения входных и выходных токов и напряжений, соответствующих IБМ.

4. Определить в рабочей точке параметры h11, h12, h21, h22, ki, ku.

Методические указания по выполнению контрольного задания

Письменные ответы на контрольные вопросы следует давать после изучения соответствующей темы курса.

Расчетную часть контрольного задания (задачи 2,3) необходимо выполнять после изучения тем 4 I-раздела и 1 III-раздела курса. Построение рабочих (нагрузочных) характеристик и определение параметров по характеристикам показано в [1] (стр.148-155). Следует обратить внимание на то, что статистические входные характеристики, снятые при разных значениях VК, располагаются близко друг другу. Это позволяет, с достаточной степенью точности, принимать одну из статистических входных характеристик за рабочую динамическую входную характеристику.

Ниже на примере показано последовательность расчетов и построений для задачи № 2.

Пример расчета задачи 2

Пусть исходными данными для расчета будут: ЕК = 20 В; RК = 1 кОм; IБМ= 50 мкА. Тип транзистора – КТ312Б.

Расчет начнем с выбора рабочей точки на выходной динамической характеристике или нагрузочной линии (НЛ). Уравнение НЛ описывается выражением:

ЕК = VК + IК RК или IК = (ЕК -VК )/ RК,

где VК, IК – напряжение и ток коллектора.

Срисовывая из справочника [10] семейство выходных статистических характеристик транзистора КТ312Б, строим на нем нагрузочную линию, ордината которой при VК = ЕК (см.рис.3). Поскольку нагрузка RК является чисто активной, то соединение прямой этих двух точек и дает НЛ.

На полученной НЛ необходимо выбрать положение рабочей точки (РТ), что практически сводится к определению тока и напряжения коллектора при отсутствии входного переменного сигнала. Для этого предварительно отметим все точки пересечения НЛ со статическими выходными характеристиками (1¸5), построенными для различных значений базового тока (0¸0,4 мА). Как видно из построений, заданную амплитуду (по условиями задачи) базового тока IБМ= 0,05 мА (с двойным размахом в 0,1 мА) можно разместить в промежутке между любыми из соседних характеристик, поскольку они как раз и отличаются на 0,1 мА. Чаще всего выбирают такое значение базового

Перейти на страницу: 5 6 7 8 9 10 11 12

Дополнительно

Становление детской журналистики и её влияние на психологию ребёнка
Русская пресса для юного читателя в отличие от «взрослой» началась с журнала. Детская журналистика в нашей стране имеет богатую историю. До революции, в основном в Петербурге и Москве, издавалось около трехсот детских и юношеских журналов. Одни из них выходили десятилетиями, другие прекращали ...

Развитие атомной энергетики в Украине
Наше время называю атомным не только и не столько потому, что оно было ознаменовано гениальными открытиями в области строения атома, а и потому, что человек нашёл полезное применение фантастически огромной энергии, источником которой стал неизмеримо малый атом. Ионизирующее излучение (атомная р ...

Меню сайта